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一般析晶多發生在黏度為10³~10⁵Pa·s對應的溫度范圍內。玻璃的雜質含量、OH含量、表面狀態、使用氣氛和加熱的燃料等是造成玻璃析晶（使玻璃轉變成方石英）的主要原因。析晶是一個以雜質或不完善的表面為中心并不斷蔓延的核化過程。原料中含水或者結構水（Si-OH）時，OH在高溫下以蒸汽的形式揮發出來，破壞玻璃結構網絡，暴露出新表面，也會加速析晶。

析晶過程包括晶化形成和晶體生長兩個階段。通過均勻成核或者非均勻成核兩種過程形成晶化后，熔體中原子在適當的過冷度和過飽和度條件下，向界面遷移，進入晶體生長階段。當生長過程離開平衡態很小時，生長速度隨時冷度增大而增大；當遠離平衡時，生長速度隨原子擴散速度增大而增大。

析晶過程主要受到過冷度、黏度、雜質、界面能等因素的影響。過冷度大，析晶驅動力大，但過冷度過大時，黏度變大，阻礙質點擴散，因此成核和生長所對應的最佳過冷度不同，對于玻璃來說，成核對應的過冷度要大于生長對應的過冷度，這樣就會限制析晶發生。下圖為過冷度與晶核形成速率I和成大速達u的關系。

對于大多數硅酸鹽熔體和玻璃來說，成核曲線位于低溫區，生長曲線位于高溫區，當熔體溫度下降時，首先經過高溫區ac，這時沒有核，所以不會析晶；然后經過交叉區cb，既有晶核有能生長，但是速度很低，析晶緩慢，只要冷卻速度足夠快，即可安全越過交叉區，不析晶或者少析晶；最后來到低溫區bd，雖然生成的晶核喝多，但是沒有生長條件，因此也不會析晶。如果再次加熱熔體冷凝成的玻璃，使之溫度達到晶體生長范圍，那么在冷卻過程中生成的晶化獲得生長條件，析晶的可能性大大增加。

析晶也分為失控型析晶和受控型析晶兩大類。對玻璃來說，失控型析晶是一種缺陷，使力學性能、光學性質、熱穩定性變差；但是受控型析晶則是通過誘導成核控制晶體生長，獲得微晶玻璃的方法。